您好,欢迎来到您的网站!

官方微信号

详细信息
当前位置: 首页 > gogo体育登录 > 公司新闻
gogo体育可信吗:东芝电子元件及存储装置发布150V N沟道功率MOSFET
发布日期:2022-07-05 04:31:51 来源:gogo体育登录 作者:gogo体育可信吗
  (全球TMT2022年4月5日讯)东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electroni...

  (全球TMT2022年4月5日讯)东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,简称“东芝”)推出了150V N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)“TPH9R00CQH”。该产品采用最新一代工艺“U-MOSX-H”,适用于工业设备的开关电源,包括部署在数据中心和通信基站的设备。3月31日开始出货。

  TPH9R00CQH的漏极-源极导通电阻比TPH1500CNH低大约42%,后者是一款采用了当前U-MOSVIII-H工艺的150V产品。新款MOSFET结构的优化改善了漏极-源极导通电阻之间的权衡和两个电荷特性,实现了优异的低损耗特点。此外,开关操作时漏极和源极之间的峰值电压也有所降低,有助于降低开关电源的电磁干扰(EMI)。有两种类型的表面贴装封装可供选择,分别为:SOP Advance和SOP Advance (N),后一种更受欢迎。